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Lattice Semiconductor
ispMACH 4000V/B/C/Z Family Data Sheet
I/O DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Standard
LVTTL
LVCMOS 3.3
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
(4000V/B)
LVCMOS 1.8
(4000C/Z)
PCI 3.3 (4000V/B)
Min (V)
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V IL
Max (V)
0.80
0.80
0.70
0.63
0.35 * V CC
1.08
V IH
Min (V)
2.0
2.0
1.70
1.17
0.65 * V CC
1.5
Max (V)
5.5
5.5
3.6
3.6
3.6
5.5
V OL
Max (V)
0.40
0.20
0.40
0.20
0.40
0.20
0.40
0.20
0.40
0.20
0.1 V CCO
V OH
Min (V)
V CCO - 0.40
V CCO - 0.20
V CCO - 0.40
V CCO - 0.20
V CCO - 0.40
V CCO - 0.20
V CCO - 0.45
V CCO - 0.20
V CCO - 0.45
V CCO - 0.20
0.9 V CCO
I OL 1
(mA)
8.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
2.0
0.1
2.0
0.1
1.5
I OH 1
(mA)
-4.0
-0.1
-4.0
-0.1
-4.0
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
-0.1
-0.5
PCI 3.3 (4000C/Z)
-0.3
0.3 * 3.3 * (V CC / 1.8) 0.5 * 3.3 * (V CC / 1.8)
5.5
0.1 V CCO
0.9 V CCO
1.5
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between adjacent bank GND connections, or between the last GND in an I/O bank and the end of
the I/O bank, as shown in the logic signals connection table, shall not exceed n *8mA. Where n is the number of I/Os between bank GND
connections or between the last GND in a bank and the end of a bank.
20
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